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中文參數如下:
工廠包裝數量:75
功率耗散:2.14 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :14 S
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):6 m Ohms
漏極連續電流:14 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD4806NA-35G的詳細信息,包括NTD4806NA-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!