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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:20.28 ns, 32.02 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:31.48 ns, 16.52 ns
功率耗散:2.24 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10.74 ns, 4.35 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0043 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD4855N-35G的詳細信息,包括NTD4855N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!