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NTD4960N-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-Pak
數量：
 6777  
說明：
 MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM
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NTD4960N-1G-I-Pak圖片

NTD4960N-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：20 ns
功率耗散：1.68 W
柵極電荷 Qg：11 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：48 S
下降時間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 85 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.1 mOhms
漏極連續電流：11.1 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4960N-1G的詳細信息，包括NTD4960N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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