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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:11.2 ns, 15 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:9.6 ns, 84 ns
功率耗散:50 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :15 S
下降時間:6.8 ns, 4 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.019 Ohms
漏極連續電流:45 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD50N03R的詳細信息,包括NTD50N03R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!