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NTD5867NL-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數量：: 7119
說明：: MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM

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NTD5867NL-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：36 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Rail
封裝形式：Case 369D-IPAK-4
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：39 mOhms
漏極連續電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5867NL-1G的詳細信息，包括NTD5867NL-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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