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NTD6600N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 3195
說明：: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

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NTD6600N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C146 毫歐 @ 6A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 700pF @ 25V
功率 - 最大1.28W
安裝類型通孔

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