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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:29 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:8.2 ns
功率耗散:0.313 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.4 S
下降時間:8.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-89
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.49 Ohms
漏極連續電流:- 760 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTE4151PT1G的詳細信息,包括NTE4151PT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!