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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:14 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:4 ns
功率耗散:900 mW
最小工作溫度:- 25 C
下降時間:4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):90 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:2.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTGD4169FT1G的詳細信息,包括NTGD4169FT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!