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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 4.7A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)12V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1053pF @ 6V
功率 - 最大700mW
安裝類型表面貼裝
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