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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:11.7 ns
功率耗散:1100 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:11.7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:ChipFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):80 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTHD3133PFT1G的詳細信息,包括NTHD3133PFT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!