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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:73 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:28 ns
功率耗散:1.3 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :20 S
下降時間:28 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:ChipFET-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.034 Ohms
漏極連續電流:- 7.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTHS2101PT1的詳細信息,包括NTHS2101PT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!