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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:56 nS, 13.5 nS
工廠包裝數量:3000
上升時間:66 nS, 6.5 nS
功率耗散:270 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.9 nC, 2.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.08 S, 3 S
下降時間:78 nS, 3.5 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):1 Ohm at 4.5 V, 215 mOhms at - 4.5 V
漏極連續電流:250 mA, - 880 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V, +/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTJD4158CT1G的詳細信息,包括NTJD4158CT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!