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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:15 nS, 14 nS
工廠包裝數量:3000
上升時間:5.5 nS, 9 nS
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:4.6 nC, 5.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7 S, 6.5 S
下降時間:14 nS, 12.5 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:WDFN-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):68 mOhms at 4.5 V, 100 mOhms at - 4.5 V
漏極連續電流:4.7 A, - 4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTLJD3183CZTBG的詳細信息,包括NTLJD3183CZTBG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!