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中文參數如下:
上升時間:24 ns
功率耗散:3.1 W
柵極電荷 Qg:25 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :21 S
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8 FL
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 mOhms
漏極連續電流:20 A
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMFS5832NLT1G的詳細信息,包括NTMFS5832NLT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!