
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
功率耗散:1.36 W
柵極電荷 Qg:38.5 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.4 mOhms
漏極連續電流:11.2 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMS4937NR2G的詳細信息,包括NTMS4937NR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!