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中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),68W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2100 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.8 毫歐 @ 40A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):27A(Ta),110A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi
以上是NTMYS2D9N04CLTWG的詳細信息,包括NTMYS2D9N04CLTWG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!