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中文參數如下:
工廠包裝數量:10000
上升時間:15 ns
功率耗散:400 mW
柵極電荷 Qg:5.5 nC
下降時間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):135 mOhms
漏極連續電流:1.3 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTR1P02LT3G的詳細信息,包括NTR1P02LT3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!