NVMFS4C302NWFT1G

廠家：: onsemi
封裝：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
數量：: 2727
說明：: MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

一、本商品被瀏覽0次.

NVMFS4C302NWFT1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），115W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5780 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.15 毫歐 @ 30A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：43A（Ta），241A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMFS4C302NWFT1G的詳細信息，包括NVMFS4C302NWFT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：