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NVMYS003N08LHTWG

廠家：: onsemi
封裝：: LFPAK4（5x6）
數(shù)量：: 2133
說明：: T8 80V LL LFPAK

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NVMYS003N08LHTWG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），137W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3735 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：64 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 183μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Ta），132A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

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