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PBHV8118T,215

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-236AB
數量：: 28251
說明：: 兩極晶體管 - BJT 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR

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PBHV8118T,215 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：300 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續電流：1 A
封裝形式：TO-236AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
增益帶寬產品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：180 V
集電極—基極電壓 VCBO：400 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PBHV8118T,215的詳細信息，包括PBHV8118T,215廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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