PCDB0865G1_R2_00001

廠家：: Panjit International Inc.
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2628
說明：: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263

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PCDB0865G1_R2_00001 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-263
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：296pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：60 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Panjit International Inc.

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