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PHE13003C,412

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-92-3
數量：: 21449
說明：: 兩極晶體管 - BJT Silicon diffused power transistor

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PHE13003C,412 PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：2.1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：5 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100μA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.5V @ 500mA，1.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：400 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶體管類型：NPN
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：WeEn Semiconductors

以上是PHE13003C,412的詳細信息，包括PHE13003C,412廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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