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PHK4NQ20T,518

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 4770
說明：: MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET

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PHK4NQ20T,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：14 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PHK4NQ20T,518的詳細(xì)信息，包括PHK4NQ20T,518廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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