PHN210 /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SO-8
數量：: 2097
說明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHN210 /T3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：PHN210,118
典型關閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.1 Ohms
漏極連續電流：3.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

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