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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):60W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1013 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):290 毫歐 @ 6.5A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):1.7A(Ta),15A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:-
系列:管件
品牌:Panjit International Inc.
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