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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
包裝形式:Box
最大功率耗散:625 mW
集電極連續電流:0.45 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:50 at 10 mA at 10 V
增益帶寬產品fT:100 MHz
集電極—射極飽和電壓:80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是PN4356的詳細信息,包括PN4356廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!