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PSMN1R6-30PL,127

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 2088  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET
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PSMN1R6-30PL,127-TO-220AB圖片

PSMN1R6-30PL,127 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:174 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:163 ns
功率耗散:306 W
下降時(shí)間:87 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.7 mOhms
漏極連續(xù)電流:100 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是PSMN1R6-30PL,127的詳細(xì)信息,包括PSMN1R6-30PL,127廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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