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PSMN8R3-40YS,115

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 SC-100，SOT-669
數(shù)量：
 3374  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFET
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PSMN8R3-40YS,115-SC-100，SOT-669圖片

PSMN8R3-40YS,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：74 W
下降時(shí)間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669 (LFPAK)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：70 A
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：NXP

以上是PSMN8R3-40YS,115的詳細(xì)信息，包括PSMN8R3-40YS,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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