中文參數如下:
波長:940 nm
感應方式:Reflective
感應距離:3.81 mm
上升時間:8 us
反向電壓:5 V
包裝形式:Bulk
輸出設備:Phototransistor
安裝風格:Wire
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
最大集電極電流:20 mA
正向電壓:1.7 V
下降時間:8 us
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是QRB1113_Q的詳細信息,包括QRB1113_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!