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中文參數如下:
FET 型2 個 N 溝道(雙)
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C238 毫歐 @ 1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 77pF @ 10V
功率 - 最大1.25W
安裝類型表面貼裝
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