QS8J12TCR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT8
數(shù)量：: 5949
說明：: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：550mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4200pF @ 6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 4.5A，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.5A
漏源電壓（Vdss）：12V
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動
配置：2 個 P 溝道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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