QS8M31TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT8
數量：: 5895
說明：: QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

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QS8M31TR PDF參數資料

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中文參數如下：
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封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：270pF @ 10V，750pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4nC @ 5V，7.2nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA，3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A（Ta），2A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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