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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):50W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):650 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):21 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):720 毫歐 @ 4.5A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9A(Tc)
漏源電壓(Vdss):500 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:不適用于新設計
包裝:-
系列:散裝,散裝
品牌:Rohm Semiconductor
以上是R5009ANX的詳細信息,包括R5009ANX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!