R5009FNX

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220FM
數(shù)量：: 1179
說明：: MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

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R5009FNX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：630 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：840 毫歐 @ 4.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor

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