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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):100W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):270 毫歐 @ 8A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):16A(Ta)
漏源電壓(Vdss):500 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Rohm Semiconductor
以上是R5016ANJTL的詳細(xì)信息,包括R5016ANJTL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!