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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):252W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):45 nC @ 15 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):7V @ 3.5mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):234 毫歐 @ 10A,15V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor
以上是R6020JNJGTL的詳細(xì)信息,包括R6020JNJGTL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!