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RDN100N20

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220FN
數(shù)量：: 4428
說明：: MOSFET

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RDN100N20 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：38 ns
上升時間：29 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：26 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220FN
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.36 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RDN100N20的詳細信息，包括RDN100N20廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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