RJK0856DPB-00#J5

廠(chǎng)家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: LFPAK
數(shù)量：: 279
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8.9 毫歐 @ 17.5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Renesas Electronics America Inc

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