RJP65T54DPM-E0#T2

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: TO-3PF
數(shù)量：: 1656
說(shuō)明：: IGBT TRENCH TO-3FP

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RJP65T54DPM-E0#T2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3
安裝類(lèi)型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：35ns/120ns
柵極電荷：72 nC
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：330μJ（開(kāi)），760μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：63.5 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類(lèi)型：溝道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：Renesas Electronics America Inc

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