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RP1E090RPTR

廠家：
  ROHM Semiconductor
封裝：
 MPT6
數(shù)量：
 8901  
說(shuō)明：
 MOSFET Pch -30V -9A MOSFET
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RP1E090RPTR-MPT6圖片

RP1E090RPTR PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

功率耗散：2 W
包裝形式：Reel
封裝形式：MPT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：21 mOhms
漏極連續(xù)電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RP1E090RPTR的詳細(xì)信息，包括RP1E090RPTR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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