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RP1L080SNTR

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 MPT6
數(shù)量：
 3636  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
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RP1L080SNTR-MPT6圖片

RP1L080SNTR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1700 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 8A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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