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中文參數如下:
波長:800 nm
工廠包裝數量:200
感應方式:Reflective
感應距離:3.5 mm
上升時間:10 us
反向電壓:5 V
包裝形式:Bulk
輸出設備:Phototransistor
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 25 C
最大工作溫度:+ 85 C
最大集電極電流:30 mA
正向電壓:1.3 V
下降時間:10 us
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RPR-359F的詳細信息,包括RPR-359F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!