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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1.25W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1520 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):22 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 6.5A,4.5V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6.5A(Tc)
漏源電壓(Vdss):20 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:P 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor
以上是RQ6C065BCTCR的詳細信息,包括RQ6C065BCTCR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!