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RRH040P03TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 1420
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 30V 4A SOP8

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RRH040P03TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫歐 @ 4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：5.2nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：480pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝

以上是RRH040P03TB1的詳細(xì)信息，包括RRH040P03TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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