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RRS100P03TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 1827
說明：: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

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RRS100P03TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：10A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：-
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：-
安裝類型：表面貼裝

以上是RRS100P03TB1的詳細(xì)信息，包括RRS100P03TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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