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RS1P600BETB1

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 8-HSOP
數量：
 1332  
說明：
 MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
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RS1P600BETB1-8-HSOP圖片

RS1P600BETB1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），35W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9，7 毫歐 @ 17，5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：17，5A（Ta），60A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RS1P600BETB1的詳細信息，包括RS1P600BETB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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