RSD100N10TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: CPT3
數(shù)量：: 6489
說明：: MOSFET N-CH 100V 10A CPT3

一、本商品被瀏覽0次.

RSD100N10TL PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：20W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：133 毫歐 @ 5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RSD100N10TL的詳細(xì)信息，包括RSD100N10TL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：