RSD150N06TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: CPT3
數(shù)量：: 6408
說明：: MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

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RSD150N06TL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：20W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：930 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 15A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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