RSD175N10TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: CPT3
數量：: 5589
說明：: MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3

一、本商品被瀏覽0次.

RSD175N10TL PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：20W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：950 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 8.8A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：17.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RSD175N10TL的詳細信息，包括RSD175N10TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：