RSJ800N06TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: LPTS
數量：: 1953
說明：: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS

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RSJ800N06TL PDF參數資料

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中文參數如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：80A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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